制造能力

01 / CERAMIC SUBSTRATES

陶瓷基材性能对照

用于比较氧化铝、氮化铝、氧化铍与氧化锆的温度、导热、电气及尺寸特性。

参数	氧化铝 Al₂O₃	氮化铝 AlN	氧化铍 BeO	氧化锆 ZrO₂
最高应用温度	662–1,832 °F	1,832 °F	2,300 °F	2,432 °F
最大功率密度	75 W/in²	1,010 W/in²	250 W/in²	300 W/in²
最大升温速率	122 °F/s	572 °F/s	400 °F/s	350 °F/s
导热系数	20–35 W/m·K	180–220 W/m·K	200–300 W/m·K	2.0–5.0 W/m·K
密度	3.75 g/cm³	3.26 g/cm³	2.8 g/cm³	5.9 g/cm³
介电损耗	0.0001–0.001	0.0001–0.0005	0.0001–0.0002	0.0005–0.001
介电常数	9.4–10.2	8.5–9.0	6.0–7.0	25–30
热膨胀系数 CTE	6.0–8.0 ppm/°C	4.0–5.0 ppm/°C	7.0–9.0 ppm/°C	10.0–11.0 ppm/°C
基板厚度	0.25–2.0 mm	0.25–2.0 mm	0.25–2.0 mm	0.25–2.0 mm
典型最大尺寸	6 × 12 in	5 × 11 in	6 × 6 in	4 × 4 in
理论功率	5,400 W	55,000 W	15,000 W	20,000 W

注：材料牌号、厚度和结构会影响实际性能；涉及 BeO 时还需按材料安全及法规要求单独评估。

02 / CERAMIC PROCESSES

陶瓷电路工艺能力对照

覆盖厚膜、HTCC/LTCC、DBC、DPC 与 AMB 的层数、尺寸、线路和表面处理能力。

参数	厚膜 TFM	HTCC / LTCC	DBC	DPC	AMB
层数	1、2、3、4、5、6	1、2、4、6、8、10、12	1、2	1、2	1、2
最大尺寸	200 × 230 mm	200 × 200 mm	138 × 178 mm	138 × 190 mm	114 × 114 mm
最小厚度	0.25 mm	0.25 mm	0.30–0.40 mm	0.25 mm	0.25 mm
最大厚度	2.2 mm	2.0 mm	单层 1.6 / 双层 2.0 mm	2.0 mm	1.8 mm
导体厚度	10–20 μm	5–1,500 μm	1–9 oz	1–1,000 μm	1–22 oz
最小线宽 / 间距	0.20 / 0.20 mm（8/8 mil）	0.15 / 0.15 mm（6/6 mil）	0.25 / 0.25 mm（10/10 mil）	0.15 / 0.15 mm（6/6 mil）	0.30 / 0.30 mm（12/12 mil）
可选基材	Al₂O₃、AlN、BeO、ZrO₂	Al₂O₃、AlN、BeO、ZrO₂	Al₂O₃、AlN、ZrO₂、ZTA、Si₃N₄、SiC 等	Al₂O₃、AlN、ZrO₂、ZTA、Si₃N₄、SiC、蓝宝石等	Al₂O₃、AlN、BeO、ZrO₂、Si₃N₄
最小孔径	0.15 mm	0.15 mm	0.10 mm	0.10 mm	0.10 mm
外形公差	激光加工 ±0.05 mm；模具冲切 ±0.10 mm
常用厚度	0.25、0.38、0.50、0.635、0.80、1.0、1.25、1.5、2.0 mm；支持按项目定制
厚度公差	0.25–0.38 mm：±0.03 mm；0.50–2.00 mm：±0.05 mm
表面体系	Ag、Au、AgPd、AuPd	Ag、Au、AgPd、AuPd、Mn/Ni	OSP、化学镍金	OSP、ENIG、ENEPIG	OSP、ENIG、ENEPIG
最小焊盘直径	0.25 mm	0.25 mm	0.20 mm	0.15 mm	0.20 mm

03 / THICK FILM RESISTORS

厚膜电阻印刷与调阻能力

典型能力适合常规量产，进阶能力需结合图形、浆料和激光调阻方案确认。

参数	典型能力	进阶能力
适用基材	FR4；Al₂O₃、AlN、BeO、ZrO₂ 陶瓷；PI；SUS304；云母
导体浆料	Cu、Ag、Au、AgPd、PdAu、PtAg、PtAu
碳膜厚度	15 ± 5 μm	30 ± 5 μm
导体厚度	12 ± 5 μm	20 ± 5 μm
最小线宽	0.30 ± 0.05 mm	0.20 ± 0.05 mm
最小间距	0.30 ± 0.05 mm	0.20 ± 0.05 mm
碳膜与导体最小搭接	≥ 0.25 mm	≥ 0.20 mm
阻值范围	mΩ 至 MΩ，可按图形和浆料定制	mΩ 至 MΩ，可按图形和浆料定制
阻值公差	±10%，可定制	激光调阻可至 ±0.5%
线性度	标准 ±1%	激光调阻约 ±0.2%–0.5%
双路同步性	±2%	±1%
耐久寿命	≥ 50 万次，常规约 200 万次	配合表面精整最高约 500–1,000 万次
工作温度	-40 至 150 °C	-40 至 180 °C

04 / CONDUCTIVE PASTES

导体浆料选型

从线宽间距、焊接或键合方式、迁移风险、成本及长期附着力综合选择。

浆料体系	最小线宽 / 间距	典型连接方式	主要特点	工程注意事项
金 Au	0.20 / 0.20 mm（8/8 mil）	金丝热压键合、共晶贴片	导电性和键合性优良	成本较高，焊接体系需单独确认
银 Ag	0.20 / 0.20 mm（8/8 mil）	焊接	成本较低、可焊性好	控制银迁移、焊料侵蚀、间距与保护层兼容
铂银 PtAg	0.15 / 0.15 mm（6/6 mil）	焊接、SMT	附着力、可焊性和键合能力平衡	需按后续温度曲线验证
钯银 PdAg	0.20 / 0.20 mm（8/8 mil）	通用焊接、线键合	老化附着较好，兼顾电气性能与成本	控制焊料侵蚀和烧结匹配
铂金 PtAu	0.15 / 0.15 mm（6/6 mil）	焊接、金丝或铝丝键合	老化附着强，无银迁移问题	材料成本和工艺窗口要求较高
钯金 PdAu	0.20 / 0.20 mm（8/8 mil）	焊接、金丝或铝丝键合	贵金属导体路线，兼顾连接方式	需确认成本、焊接及键合参数

05 / RESISTIVE PASTES

电阻浆料关键参数

阻值、TCR、几何尺寸、烧结曲线和保护层必须作为一个体系共同开发。

参数	能力范围 / 建议值	工程说明
阻值范围	1 Ω 至数 MΩ	按浆料方阻、图形长宽比和膜厚组合设计
阻值公差	±1% 至 ±10%；受控调阻可至 ±0.1%	高精度项目需预留激光调阻区
TCR	±50 至 ±200 ppm/°C	适用时优先选择低于 ±100 ppm/°C 的体系
长期稳定性	≤ 1%	需结合老化、功率负载和环境验证
烧结温度	850–950 °C	以浆料厂家曲线及基材兼容性为准
电导率	10⁶–10⁸ S/m	随材料体系和膜层状态变化
表面粗糙度	Ra ≤ 1 μm	接触式传感轨迹需重点控制
绝缘电阻	≥ 10⁹ Ω	与间距、介质和污染控制相关
机械强度	≥ 100 MPa	最终以基材和整体结构测试为准
溶剂残留	≤ 1%	通过干燥与烧结过程控制
抗氧化寿命	> 1,000 h	按工作温度和气氛定义试验条件
耐湿寿命	≥ 1,000 h	必要时配合保护层和封装验证

06 / DIELECTRIC PASTES

介质材料参数对照

用于绝缘、交叉线路及柔性功能层设计，需同时确认电气、温度、热膨胀和附着性能。

参数	环氧树脂	聚酰亚胺 PI	PTFE
介电常数 εr	3.0–4.5	3.0–3.5	2.1–2.5
绝缘电阻	≥ 10¹² Ω·cm
介电损耗	≤ 0.01	≤ 0.005	≤ 0.0002
工作温度	-55 至 180 °C	-50 至 250 °C	-200 至 260 °C
固化温度	150–200 °C（具体随材料体系）
CTE	20–60 ×10⁻⁶/°C	10–40 ×10⁻⁶/°C	100–200 ×10⁻⁶/°C
体积电阻率	≥ 10¹³ Ω·cm
表面电阻率	≥ 10⁹ Ω·cm
导热系数	0.2–0.3 W/m·K	0.2–0.3 W/m·K	0.1–0.3 W/m·K
附着力	≥ 20 N/cm²，需按基材和表面处理验证

07 / INSULATING PASTES

绝缘浆料体系对照

玻璃釉、环氧和有机聚合物的温度、机械及耐化学能力不同，应按使用环境选择。

参数	玻璃釉	环氧树脂	有机聚合物
绝缘电阻	≥ 10¹² Ω	≥ 10¹² Ω	≥ 10¹² Ω
介电常数 εr	5–7	3.0–4.5	2.0–3.5
介电损耗	≤ 0.01	≤ 0.01	≤ 0.01
工作温度	-40 至 450 °C	-55 至 180 °C	-40 至 150 °C
烧结 / 固化温度	600–800 °C	150–200 °C	120–180 °C
导热系数	1.0–1.5 W/m·K	0.2–0.3 W/m·K	0.1–0.3 W/m·K
CTE	30–50 ×10⁻⁶/°C	30–60 ×10⁻⁶/°C	50–150 ×10⁻⁶/°C
密度	2.5–3.0 g/cm³	1.1–1.4 g/cm³	1.1–1.4 g/cm³
附着特性	高，与金属体系兼容	高，综合性能好	中等，随聚合物体系变化
耐化学性	优，耐酸碱和溶剂	良好，需核对具体溶剂	中等，取决于聚合物种类
耐电弧性	优	良好	中等
机械特性	强度高、硬而偏脆	强度中等、具一定柔韧性	强度较低、柔韧性好